GaN дегеніміз не және ол не үшін қажет?

GaN дегеніміз не және ол не үшін қажет?

Галлий нитриді немесе GaN - зарядтағыштардағы жартылай өткізгіштер үшін қолданыла бастаған материал. Ол 90-шы жылдардан бастап жарықдиодты шамдарды жасау үшін пайдаланылды, сонымен қатар бұл спутниктерде күн батареяларының массивтері үшін танымал материал. Зарядтағыштар туралы айтатын болсақ, GaN туралы ең бастысы - ол аз жылу шығарады. Жылудың аз болуы компоненттердің бір-біріне жақын болуы мүмкін екенін білдіреді, сондықтан барлық қуат мүмкіндіктері мен қауіпсіздік стандарттарын сақтай отырып, зарядтағыш бұрынғыдан да кішірек болуы мүмкін.

Зарядтағыш шынымен не істейді?

Сіз сұрағаныңызға қуаныштымыз.

Зарядтағыштың ішкі жағындағы GaN-ді қарастырмас бұрын, зарядтағыштың не істейтінін қарастырайық. Біздің смартфондарымыздың, планшеттеріміздің және ноутбуктеріміздің әрқайсысында батарея бар. Батарея біздің құрылғыларға қуат бергенде, бұл іс жүзінде химиялық реакция болып табылады. Зарядтағыш химиялық реакцияны кері қайтару үшін электр тогын алады. Алғашқы күндерде зарядтағыштар батареяға үнемі шырын жіберіп отырды, бұл шамадан тыс зарядталуына және зақымдалуына әкелуі мүмкін. Заманауи зарядтағыштарға батарея толып жатқанда токты төмендететін бақылау жүйелері кіреді, бұл шамадан тыс зарядтау мүмкіндігін азайтады.

Жылу қосулы:
GaN кремнийді ауыстырады

80-ші жылдардан бері кремний транзисторлар үшін негізгі материал болды. Кремний электр тогын бұрын қолданылған материалдарға (мысалы, вакуумдық түтіктерге) қарағанда жақсы өткізеді және шығындарды төмендетеді, өйткені оны өндіру тым қымбат емес. Ондаған жылдар бойы технологияны жетілдіру біз бүгін үйреніп қалған жоғары өнімділікке әкелді. Прогресс тек әзірше алға жылжуы мүмкін, ал кремний транзисторлары олар алатындай жақсы болуы мүмкін. Кремний материалының қасиеттері жылу және электр беру сияқты компоненттердің азаймайтынын білдіреді.

GaN әртүрлі. Бұл әлдеқайда жоғары кернеулерді өткізуге қабілетті кристалл тәрізді материал. Электр тогы GaN-дан жасалған компоненттер арқылы кремнийге қарағанда тезірек өтуі мүмкін, бұл одан да жылдам өңдеуге әкеледі. GaN тиімдірек, сондықтан жылу аз болады.